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TGF2929-FL

Name: Qorvo TGF2929-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2929-FL
Price: 703.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-TGF2929-FL

Herst.- Nr.:

TGF2929-FL

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Datenblatt:

TGF2929-FL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	NI-360
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	28 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, + 2 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 2.9 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	144 W
Marke:	Qorvo
Maximale Betriebsfrequenz:	3.5 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	100 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	TGF2929
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-SiC
Typ:	RF Power MOSFET
Artikel # Aliases:	TGF2929 1123811
Gewicht pro Stück:	64.190 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

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Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.