Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

T2G6003028-FL

Name: Qorvo T2G6003028-FL
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6003028-FL
Price: 320.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-T2G6003028-FL

Herst.- Nr.:

T2G6003028-FL

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged

Datenblatt:

T2G6003028-FL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Qorvo T2G6003028-FL

Auf Lager: 53

Lagerbestand:: 53 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 20 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	320.57 CHF	320.57 CHF
	237.65 CHF	5 941.25 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	NI-200
Marke:	Qorvo
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Maximale Betriebsfrequenz:	6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	30 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	T2G6003028
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	HEMT
Artikel # Aliases:	T2G6003028 1100007
Gewicht pro Stück:	12,115 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

T2G6003028-FL Datenblatt (PDF)

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.