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T2G6001528-Q3

Name: Qorvo T2G6001528-Q3
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6001528-Q3
Price: 195.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-T2G6001528-Q3

Herst.- Nr.:

T2G6001528-Q3

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN

Datenblatt:

T2G6001528-Q3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	NI-200
Marke:	Qorvo
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Maximale Betriebsfrequenz:	6 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	15 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	T2G6001528
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	HEMT
Artikel # Aliases:	T2G6001528 1100001
Gewicht pro Stück:	6,736 g

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN-HF-Transistoren

Die QPD GaN-HF-Transistoren von Qorvo können in der Doherty-Architektur für die Endstufe eines Basisstation-Leistungsverstärkers für Makrozellensysteme mit hohem Wirkungsgrad verwendet werden. Diese GaN-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs, die mit einem einstufigen Leistungsverstärker-Transistor abgestimmt sind. Zu den typischen Applikationen gehören W-CDMA/LTE, Makrozellen-Basisstationen, aktive Antennen und Universal-Applikationen.

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.