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SUM90220E-GE3

Name: Vishay SUM90220E-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SUM90220E-GE3
Price: 2.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SUM90220E-GE3

Herst.- Nr.:

SUM90220E-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263

Datenblatt:

SUM90220E-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	64 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	230 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	38 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	37 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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SUM90220E-GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.

ThunderFET® 150-250 V MOSFETs

Die Vishay Siliconix ThunderFET^® 150-250V MOSFETs umfassen V_ds-Spannungen von 150 V, 200 V und 250 V in n-Kanal-Polaritätstypen. Die Gehäusetypen umfassen nun auch die TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263 und TO-220AB. Der SIR692DP 250V-Gütefaktor (FOM) ist 42 % geringer als bei früheren Generationen. Der SIR692DP reduziert die Leitfähigkeit im Zusammenhang mit Leistungsverlust und erhöht die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Applikationen.PowerPAK SO-8-Gehäuse erreichen den besten R_DS, Q_G und Q_oss durch Minimierung des Gehäusewiderstands und der parasitären Induktivität.
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ThunderFET® Leistungs-MOSFETs

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