Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

STGP30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGP30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP30H60DFB
Price: 2.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGP30H60DFB

Herst.- Nr.:

STGP30H60DFB

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STGP30H60DFB Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STGP30H60DFB

Auf Lager: 983

Lagerbestand:: 983

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 2 000

erwartet ab 06.08.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 15

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2.57 CHF	2.57 CHF
	1.45 CHF	14.50 CHF
	1.11 CHF	111.00 CHF
	0.904 CHF	452.00 CHF
	0.833 CHF	833.00 CHF
	0.78 CHF	1 560.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	260 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGP30H60DFB
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	60 A
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STGP30H60DFB Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, die eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwenden. Diese neuen HB-Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Ein leicht positiver V_CE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine äußerst geringe Parameterverteilung ermöglichen einen sichereren Parallelbetrieb.
Mehr erfahren