STGF15M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF15M65DF2
STGF15M65DF2

Produttore:

Descrizione:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: IGBTs
RoHS::  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
30 A
31 W
- 55 C
+ 175 C
STGF15M65DF2
Tube
Marchio: STMicroelectronics
Corrente continua di collettore Ic max: 30 A
Corrente di perdita gate-emettitore: 250 uA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica: 2000
Sottocategoria: IGBTs
Peso unità: 2,300 g
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

A magazzino: 3

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Prezzo Unitario:
-.-- CHF
Prezzo esteso:
-.-- CHF
Stima Tariffa:

Prezzi (CHF)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
1.82 CHF 1.82 CHF
0.894 CHF 8.94 CHF
0.756 CHF 75.60 CHF
0.626 CHF 313.00 CHF
0.562 CHF 562.00 CHF
0.483 CHF 966.00 CHF
0.482 CHF 1 928.00 CHF
0.453 CHF 4 530.00 CHF

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