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SSVBC846BPDW1T1G

Name: onsemi SSVBC846BPDW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-SSVBC846BPDW1T1G
Price: 0.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-SSVBC846BPDW1T1G

Herst.- Nr.:

SSVBC846BPDW1T1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT SS DUAL GEN XSTR

Datenblatt:

SSVBC846BPDW1T1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.30	CHF 0.30
	CHF 0.186	CHF 1.86
	CHF 0.118	CHF 11.80
	CHF 0.087	CHF 43.50
	CHF 0.077	CHF 77.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.064	CHF 192.00
	CHF 0.058	CHF 348.00
	CHF 0.055	CHF 495.00
	CHF 0.047	CHF 1 128.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-6
Transistorpolung:	NPN, PNP
Konfiguration:	Dual
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	65 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	250 mV, 300 mV
Pd - Verlustleistung:	380 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	100 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	BC846BPDW1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	100 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	200
DC Stromverstärkung hFE max.:	475
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6 mg

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Datenblatt

SSVBC846BPDW1T1G Datenblatt

PCN

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

BC846BPDW1 Bipolartransistoren

Onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind Dual-Universal-Transistoren, die für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen ausgelegt sind. Diese NPN/PNP-Transistoren sind im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht. Die BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und in einem bleifreien Gehäuse verfügbar. Diese NPN/PNP-Transistoren sind halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform. Die bipolaren Transistoren eignen sich hervorragend für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen.