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SSM6N17FU(TE85L,F)

Name: Toshiba SSM6N17FU(TE85L,F)
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N17FUTE85LF
Price: 0.33 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM6N17FUTE85LF

Herst.- Nr.:

SSM6N17FU(TE85L,F)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V

Datenblatt:

SSM6N17FU(TE85L,F) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.333 CHF	0.33 CHF
	0.203 CHF	2.03 CHF
	0.128 CHF	12.80 CHF
	0.096 CHF	48.00 CHF
	0.084 CHF	84.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.069 CHF	207.00 CHF
	0.061 CHF	366.00 CHF
	0.053 CHF	477.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 7 V, 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	200 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	MOSV
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Dual
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 mS
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SSM6N17FU
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Datenblatt

SSM6N17FU(TE85L,F) Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (V_DS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (V_GS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.