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SSM3K2615R,LF

Name: Toshiba SSM3K2615R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K2615RLF
Price: 0.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM3K2615RLF

Herst.- Nr.:

SSM3K2615R,LF

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Small-Signal MOSFET

Datenblatt:

SSM3K2615R,LF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.603 CHF	0.60 CHF
	0.374 CHF	3.74 CHF
	0.241 CHF	24.10 CHF
	0.183 CHF	91.50 CHF
	0.165 CHF	165.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.14 CHF	420.00 CHF
	0.128 CHF	768.00 CHF
	0.114 CHF	1 026.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23F-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	300 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	MOSV
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	50 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	SSM3K2615
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	150 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns
Gewicht pro Stück:	11 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Datenblatt

SSM3K2615R,LF Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (V_DS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (V_GS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

Automotive-Lösungen

Toshiba Automotive-Lösungen bieten verschiedene Automotive-Halbleiter-Bauteile, die zur Verbesserung der Fahrsicherheit ausgelegt sind. Dazu gehören erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS) mit einem Bilderkennungsprozessor. Toshiba bietet modernste Halbleitertechnologien aus einer Zukunftsperspektive, um umfassende Fahrerassistenzlösungen zu liefern. Diese Lösungen umfassen autonomes Fahren, das menschliche Augen und andere komplexe menschliche Sinne emuliert.