Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SSM3J378R,LF

Name: Toshiba SSM3J378R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3J378RLF
Price: 0.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM3J378RLF

Herst.- Nr.:

SSM3J378R,LF

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

Datenblatt:

SSM3J378R,LF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Toshiba SSM3J378R,LF

Auf Lager: 5 484

Lagerbestand:: 5 484 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 11 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.341 CHF	0.34 CHF
	0.21 CHF	2.10 CHF
	0.133 CHF	13.30 CHF
	0.10 CHF	50.00 CHF
	0.088 CHF	88.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.074 CHF	222.00 CHF
	0.066 CHF	396.00 CHF
	0.056 CHF	504.00 CHF
	0.053 CHF	1 272.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23F-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	29.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	12.8 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	U-MOSVI
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SSM3J378R
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	107 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	32 ns
Gewicht pro Stück:	11 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Dokument filtern:

Datenblatt

SSM3J378R,LF Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Automotive-Lösungen

Toshiba Automotive-Lösungen bieten verschiedene Automotive-Halbleiter-Bauteile, die zur Verbesserung der Fahrsicherheit ausgelegt sind. Dazu gehören erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS) mit einem Bilderkennungsprozessor. Toshiba bietet modernste Halbleitertechnologien aus einer Zukunftsperspektive, um umfassende Fahrerassistenzlösungen zu liefern. Diese Lösungen umfassen autonomes Fahren, das menschliche Augen und andere komplexe menschliche Sinne emuliert.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.