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SQJ464EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ464EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ464EP-T1_GE3
Price: 1.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ464EP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ464EP-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

Datenblatt:

SQJ464EP-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.30 CHF	1.30 CHF
	0.824 CHF	8.24 CHF
	0.547 CHF	54.70 CHF
	0.43 CHF	215.00 CHF
	0.392 CHF	392.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.343 CHF	1 029.00 CHF
	0.334 CHF	2 004.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

SQJ464EP-T1_BE3

Verpackung:

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.30 CHF

Min:

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Herst.:

Vishay Semiconductors

Herst.- Nr.:

SQJ464EP-T1_BE3

Beschreibung:

MOSFETs PowerPAK SO-8L

Lebenszyklus:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	44 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	60 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.9 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.7 ns
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

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Datenblatt

SQJ464EP-T1_GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.