SQJ443AEP-T1_GE3 MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Datenblatt
2 177Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 8.1 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 40A
Datenblatt
N/A

Si
Vishay MOSFETs
Datenblatt
N/A