SQJ116EP-T1_GE3 MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Datenblatt
380Auf Lager
3 000erwartet ab 25.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 37 A 3 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFETs
Datenblatt
N/A
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 278 A 3 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement