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SQJ116EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ116EP-T1_GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SQJ116EP-T1_GE3
Price: 1.32 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ116EP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ116EP-T1_GE3

Herst.:

Vishay

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SQJ116EP-T1_GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.32 CHF	1.32 CHF
	0.833 CHF	8.33 CHF
	0.548 CHF	54.80 CHF
	0.428 CHF	214.00 CHF
	0.378 CHF	378.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.342 CHF	1 026.00 CHF
	0.288 CHF	1 728.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	37 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	64 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	84 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	88 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	44 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1-N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

SQJ116EP-T1_GE3 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.