SQJ110EP-T1_GE3 MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Datenblatt
17 759Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 500 W Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs SOT669 100V 170A P-CH MOSFET
Datenblatt
N/A

Si
Vishay MOSFETs SOT669 100V 170A P-CH MOSFET
Datenblatt
N/A

Si