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SP8M51HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M51HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M51HZGTB
Price: 1.91 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SP8M51HZGTB

Herst.- Nr.:

SP8M51HZGTB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs AECQ

Datenblatt:

SP8M51HZGTB Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 1.91	CHF 1.91
	CHF 1.24	CHF 12.40
	CHF 0.851	CHF 85.10
	CHF 0.678	CHF 339.00
	CHF 0.667	CHF 667.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.564	CHF 1 410.00
	CHF 0.563	CHF 2 815.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A, 2.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	170 mOhms, 290 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	8.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	14 ns, 19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns, 13 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns, 75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns, 15 ns
Artikel # Aliases:	SP8M51HZG

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

SP8M51HZGTB Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SP8M Leistungs-MOSFETs

Die SP8M Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor sind Bauteile mit niedrigem Durchlasswiderstand, die in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (SOP8) untergebracht sind. Der SP8M verfügt über eine Pb-freie Beschichtung und ist RoHS-konform. Die MOSFETs sind außerdem halogenfrei, haben eine Sn100%-Beschichtung und sind AEC-Q101-qualifiziert.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.