SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZ998DT-T1-GE3
SIZ998DT-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors SIZ998DT-T1-GE3

Auf Lager: 6 683

Lagerbestand:
6 683 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
3 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
1.70 CHF 1.70 CHF
1.08 CHF 10.80 CHF
0.732 CHF 73.20 CHF
0.581 CHF 290.50 CHF
0.542 CHF 542.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
0.535 CHF 1 605.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-6x5-8
N-Channel
2 Channel
30 V
20 A, 60 A
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
- 16 V, 20 V
1.1 V
18 nC, 44.3 nC
- 55 C
+ 150 C
20.2 W, 32.9 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 10 ns, 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 80 S, 165 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 65 ns, 65 ns
Serie: SIZ
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 10 ns, 17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns, 25 ns
Gewicht pro Stück: 337,318 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SkyFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SkyFET® Power MOSFETs integrate a MOSFET and a Schottky diode and are ideal for increasing efficiency at light loads and higher frequencies to reduce power losses in servers, notebooks, and VRMs. Their low VF and Qrr provide an advantage over standard trench MOSFETs. Other features include increased efficiency for DC-DC converter applications, reduced space by eliminating external Schottky diodes, low-side switch for synchronous rectification, and reduced power losses linked to the body diode of the MOSFET. Typical applications for Vishay / Siliconix SkyFET Power MOSFETs include point of load (PoL), synchronous rectification, VRM, synchronous buck low side for core voltages, and graphics cards.

Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus. 

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Die PowerPAIR® Dual-MOSFETs von Vishay kombinieren optimierte Kombinationen von MOSFETs in einem kompakten Gehäuse. Die zusammengeschalteten PowerPAIR Dual-MOSFETs verfügen über einen geringeren Platzbedarf und bieten eine höhere Leistungsfähigkeit als separate diskrete Bauteile. Durch den bereits erfolgten Anschluss der beiden MOSFETs im PowerPAIR-Gehäuse werden die Layouts vereinfacht und die parasitäre Induktivität von PCB-Spuren reduziert, wodurch der Wirkungsgrad erhöht wird. 

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten. 

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen RDS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.