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SIZ340DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ340DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZ340DT-T1-GE3
Price: 1.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIZ340DT-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIZ340DT-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

Datenblatt:

SIZ340DT-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.17 CHF	1.17 CHF
	0.735 CHF	7.35 CHF
	0.489 CHF	48.90 CHF
	0.382 CHF	191.00 CHF
	0.349 CHF	349.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.308 CHF	924.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAIR-3x3-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A, 40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.5 mOhms, 5.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	19 nC, 35 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	16.7 W, 31 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	7 ns, 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	37 S, 60 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	55 ns, 82 ns
Serie:	SIZ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns, 20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns, 22 ns
Gewicht pro Stück:	143,050 mg

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Datenblatt

SIZ340DT-T1-GE3 Datenblatt

Models

PCN

Product Change Notification 2024-01-09 (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET^®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Die PowerPAIR^® Dual-MOSFETs von Vishay kombinieren optimierte Kombinationen von MOSFETs in einem kompakten Gehäuse. Die zusammengeschalteten PowerPAIR Dual-MOSFETs verfügen über einen geringeren Platzbedarf und bieten eine höhere Leistungsfähigkeit als separate diskrete Bauteile. Durch den bereits erfolgten Anschluss der beiden MOSFETs im PowerPAIR-Gehäuse werden die Layouts vereinfacht und die parasitäre Induktivität von PCB-Spuren reduziert, wodurch der Wirkungsgrad erhöht wird.