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SISS70DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS70DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS70DN-T1-GE3
Price: 1.54 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SISS70DN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SISS70DN-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

Datenblatt:

SISS70DN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.54	CHF 1.54
	CHF 0.98	CHF 9.80
	CHF 0.661	CHF 66.10
	CHF 0.524	CHF 262.00
	CHF 0.485	CHF 485.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.416	CHF 1 248.00
	CHF 0.413	CHF 3 717.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK1212-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	125 V
Id - Drain-Gleichstrom:	31 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	29.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	15.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	65.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	SISS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	1 g

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SISS7xDN TrenchFET-MOSFETs

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET-MOSFETs verwenden TrenchFET^®mit ThunderFET-Technologie, die den Ausgleich von R_DS, Q_G,Q_SW,und Q_OSS optimiert. Diese MOSFETs sind vollständig Rg- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching) Die SISS7xDN TrenchFET-MOSFETs sind für Applikationen für die Primärseiten-Schaltung, Synchrongleichschaltung, DC/DC-Wandler, Motorantriebssteuerung und Lastschalter geeignet. Diese MOSFETs sind im PowerPAK 1212-8S-Gehäuse verfügbar.