SISS52DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISS52DN-T1-GE3
SISS52DN-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

ECAD Model:
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK1212-8S
N-Channel
1 Channel
30 V
162 A
1.2 mOhms
- 12 V, 16 V
4.2 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay / Siliconix
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 6 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 6 ns
Serie: SISS
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N - Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 12 ns
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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99