SISF20DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF20DN-T1-GE3
SISF20DN-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (CHF)

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Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 1.92 CHF 1.92
CHF 1.23 CHF 12.30
CHF 0.999 CHF 99.90
CHF 0.97 CHF 485.00
CHF 0.916 CHF 916.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.642 CHF 1 926.00
CHF 0.608 CHF 3 648.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212SCD-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
13 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: SISF
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
Gewicht pro Stück: 488.500 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten. 

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen RDS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

Integrierte MOSFETs mit Common-Drain

Vishay Integrierte MOSFETs mit Common-Drain verfügen über 1, 2 und 3 Kanäle und bieten eine Oberflächenmontage. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und n+p-Kanal-Optionen sowie einen Durchschlagspannungsbereich von 20 V bis 200 V. Die Anreischerungstyp-MOSFETs sind mit sechs oder 8 Pins ausgestattet und bieten einen Verlustleistungsbereich von 1,5 W bis 69,4 W und einen Drain-Source-Widerstand von 2,15 mΩ bis 26 mΩ.

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