Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SIR632DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR632DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR632DP-T1-RE3
Price: 1.56 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIR632DP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIR632DP-T1-RE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SIR632DP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors SIR632DP-T1-RE3

Auf Lager: 6 717

Lagerbestand:: 6 717 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 3 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.56	CHF 1.56
	CHF 0.951	CHF 9.51
	CHF 0.655	CHF 65.50
	CHF 0.534	CHF 267.00
	CHF 0.485	CHF 485.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.485	CHF 1 455.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	69.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET, PowerPAK
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns
Serie:	SIR
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	506.600 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SIR632DP-T1-RE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ThunderFET® 150-250 V MOSFETs

Die Vishay Siliconix ThunderFET^® 150-250V MOSFETs umfassen V_ds-Spannungen von 150 V, 200 V und 250 V in n-Kanal-Polaritätstypen. Die Gehäusetypen umfassen nun auch die TO-252, PowerPAK SO-8, TO-263 und TO-220AB. Der SIR692DP 250V-Gütefaktor (FOM) ist 42 % geringer als bei früheren Generationen. Der SIR692DP reduziert die Leitfähigkeit im Zusammenhang mit Leistungsverlust und erhöht die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Applikationen.PowerPAK SO-8-Gehäuse erreichen den besten R_DS, Q_G und Q_oss durch Minimierung des Gehäusewiderstands und der parasitären Induktivität.
Mehr erfahren

ThunderFET® Leistungs-MOSFETs

Die ThunderFET^® Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix bieten den branchenweit niedrigsten On-Widerstand unter den 100-V-MOSFETs in der 4,5V-Klasse. Zusätzlich zum On-Widerstand und der Gate-Ladung ist die wichtige Gütezahl (Figure of Merit - FOM) für MOSFETs in DC-DC-Wandlern ebenfalls die Beste. Durch den niedrigen On-Widerstand bieten sie Designern niedrigere Leitungsverluste und einen geringeren Stromverbrauch für energiesparende, umweltfreundliche Lösungen. Diese Bausteine sind für primäre Taktung und sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC/DC-Stromversorgungs-Designs für den Einsatz in Telekommunikations-Brick- und Bus-Wandlern optimiert. Die 4,5-V-Klassifizierung für den On-Widerstand des MOSFETs erlaubt es, eine große Auswahl an PWM- und Gatetreiber-ICs zu berücksichtigen.
Mehr erfahren

Alle Vishay Siliconix Leistungs-MOSFETs anzeigen

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.