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SIR5607DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR5607DP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR5607DP-T1-RE3
Price: 2.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIR5607DP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIR5607DP-T1-RE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

Datenblatt:

SIR5607DP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.83 CHF	2.83 CHF
	1.88 CHF	18.80 CHF
	1.38 CHF	138.00 CHF
	1.12 CHF	560.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.05 CHF	3 150.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	31.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	52 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	320 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns

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Datenblatt

SIR5607DP-T1-RE3 Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-11-01 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET®-Gen-V-MOSFETs

Der Vishay/Siliconix SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET-Gen-V-Leistungs-MOSFET ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit sehr niedrigem R_{DS (on).} Dieser Leistungs-MOSFET bietet 30 V V_DSund eine sehr niedrige RDS x Q_g-Gütezahl (FOM). Der SiSS52DN n-Kanal-MOSFET verfügt typischerweise über 162 A I_D und 19.9nC Q_G.Während der SiSS54DN n-Kanal-MOSFET typischerweise über 185,6 A I_D und 21 nC Q_{g verfügt.}Dieser 100 % R_g — und UIS-getestete (Unclamped Inductive Switching, UIS) MOSFET wird in einem thermisch verbesserten kompakten PowerPAK^® 1212-8S -Gehäuse mit einer Einzelkonfiguration geliefert. Zu den typischen Anwendungsfällen gehören DC/DC-Wandler, Punktlast (POLs), Synchrongleichrichtung, Leistungs- und Lastschalter und Batteriemanagement.