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SIJH5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJH5100E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJH5100E-T1-GE3
Price: 5.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIJH5100E-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIJH5100E-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PWRPK 100V N-CH MOSFET

Datenblatt:

SIJH5100E-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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	5.83 CHF	5.83 CHF
	3.94 CHF	39.40 CHF
	2.86 CHF	286.00 CHF
	2.72 CHF	1 360.00 CHF
	2.57 CHF	2 570.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	2.57 CHF	5 140.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	277 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.89 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	85 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	333 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	120 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	41 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns

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Datenblatt

SIJH5100E-T1-GE3 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET®-Gen-V-MOSFETs

Der Vishay/Siliconix SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET-Gen-V-Leistungs-MOSFET ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit sehr niedrigem R_{DS (on).} Dieser Leistungs-MOSFET bietet 30 V V_DSund eine sehr niedrige RDS x Q_g-Gütezahl (FOM). Der SiSS52DN n-Kanal-MOSFET verfügt typischerweise über 162 A I_D und 19.9nC Q_G.Während der SiSS54DN n-Kanal-MOSFET typischerweise über 185,6 A I_D und 21 nC Q_{g verfügt.}Dieser 100 % R_g — und UIS-getestete (Unclamped Inductive Switching, UIS) MOSFET wird in einem thermisch verbesserten kompakten PowerPAK^® 1212-8S -Gehäuse mit einer Einzelkonfiguration geliefert. Zu den typischen Anwendungsfällen gehören DC/DC-Wandler, Punktlast (POLs), Synchrongleichrichtung, Leistungs- und Lastschalter und Batteriemanagement.