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SIA413DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA413DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA413DJ-T1-GE3
Price: 1.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SIA413DJ-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIA413DJ-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

Datenblatt:

SIA413DJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.23 CHF	1.23 CHF
	0.778 CHF	7.78 CHF
	0.517 CHF	51.70 CHF
	0.405 CHF	202.50 CHF
	0.369 CHF	369.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.323 CHF	969.00 CHF
	0.311 CHF	1 866.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-70-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	150 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	38 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	19 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SIA
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	SIA413DJ-GE3