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SI8817DB-T2-E1

Name: Vishay SI8817DB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8817DB-T2-E1
Price: 0.61 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI8817DB-T2-E1

Herst.- Nr.:

SI8817DB-T2-E1

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Datenblatt:

SI8817DB-T2-E1 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.619 CHF	0.62 CHF
	0.382 CHF	3.82 CHF
	0.246 CHF	24.60 CHF
	0.187 CHF	93.50 CHF
	0.168 CHF	168.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.151 CHF	453.00 CHF
	0.127 CHF	762.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MicroFoot-4
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	61 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	19 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	900 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Abfallzeit:	22 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Serie:	SI8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	45,104 mg