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SI8483DB-T2-E1

Name: Vishay SI8483DB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8483DB-T2-E1
Price: 0.53 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI8483DB-T2-E1

Herst.- Nr.:

SI8483DB-T2-E1

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

Datenblatt:

SI8483DB-T2-E1 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.535	CHF 0.54
	CHF 0.341	CHF 3.41
	CHF 0.235	CHF 23.50
	CHF 0.187	CHF 93.50
	CHF 0.171	CHF 171.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.147	CHF 441.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MicroFoot-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	22 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	65 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	13 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	SI8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	128.380 mg

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Datenblatt

SI8483DB-T2-E1 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.

TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET^®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK^® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.