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SI7812DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7812DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7812DN-T1-GE3
Price: 2.39 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI7812DN-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI7812DN-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Datenblatt:

SI7812DN-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.39 CHF	2.39 CHF
	1.55 CHF	15.50 CHF
	1.06 CHF	106.00 CHF
	0.857 CHF	428.50 CHF
	0.817 CHF	817.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.771 CHF	2 313.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	75 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	37 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	16 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	52 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	50 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	23 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	130 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Artikel # Aliases:	SI7812DN-GE3
Gewicht pro Stück:	1 g

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Datenblatt

SI7812DN-T1-GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SI78 N-Kanal-MOSFETs (D-S)

Die N-Kanal-MOSFETs (D-S) SI78 von Vishay Semiconductors sind in einem neuen PowerPAK^®-Gehäuse mit geringem Wärmewiderstand und einer geringen Bauhöhe von 1,07 mm erhältlich. Diese N-Kanal-MOSFETs (D-S) sind PWM-optimiert, zu 100 % nach R_g getestet, halogenfrei und RoHS-konform. Die MOSFETs SI78 werden in DC/DC-Wandlern, primärseitigen Schaltern für DC/DC-Applikationen und synchronen Gleichrichtern eingesetzt.