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SI7633DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7633DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7633DP-GE3
Price: 1.99 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

781-SI7633DP-GE3

Herst.- Nr.:

SI7633DP-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Datenblatt:

SI7633DP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.99	CHF 1.99
	CHF 1.26	CHF 12.60
	CHF 0.859	CHF 85.90
	CHF 0.721	CHF 360.50
	CHF 0.674	CHF 674.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.674	CHF 2 022.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	260 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	SI7
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns
Artikel # Aliases:	SI7633DP-GE3
Gewicht pro Stück:	506.600 mg

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Datenblatt

SI7633DP-T1-GE3 Datenblatt

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si76-Baureihe MOSFETs

Vishay Semiconductors Si76-Baureihe MOSFETs sind TrenchFET^® Leistungs-MOSFETs für Low-Side-Schalter in DC/DC-Wandlern und O-Ringe. Die p- und n-Kanal-MOSFETs sind 100 % Avalanche- und R_g -getestet. Die MOSFETs der Si76-Baureihe von Vishay bieten eine große Auswahl von Gehäusen und Spannungen für Benutzeranforderungen.

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.