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SH8KA4TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KA4TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KA4TB1
Price: 1.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SH8KA4TB1

Herst.- Nr.:

SH8KA4TB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET

Datenblatt:

SH8KA4TB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.663	CHF 6.63
	CHF 0.439	CHF 43.90
	CHF 0.395	CHF 197.50
	CHF 0.371	CHF 371.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.361	CHF 902.50
	CHF 0.338	CHF 1 690.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	21.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	15.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Artikel # Aliases:	SH8KA4

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SH8KA4TB1 Datenblatt

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs

Die SH8K Dual Nch+Nch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über zwei 40-V- oder 60-V-MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren SOP8-Gehäuse mit acht Anschlüssen. Die SH8K-Baureihe bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und einen maximalen R_DS(on) von 8,4 mΩ, 12,4 mΩ oder 19,4 mΩ. Weitere Merkmale sind die 2 W Verlustleistung und die ±8,5 A, ±10,5 oder ±13,5 A Drainstrom-ID. Diese RoHS-konformen MOSFETs sind halogenfrei und verwenden eine Pb-freie Beschichtung. Die SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs von ROHM Semiconductor sind ideal für Schaltanwendungen geeignet.