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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 2.11 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT350R70GTK

Herst.- Nr.:

SGT350R70GTK

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Datenblatt:

SGT350R70GTK Datenblatt (PDF)

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.11 CHF	2.11 CHF
	1.36 CHF	13.60 CHF
	0.97 CHF	97.00 CHF
	0.819 CHF	409.50 CHF
	0.772 CHF	772.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.661 CHF	1 652.50 CHF
	0.657 CHF	3 285.00 CHF
	0.641 CHF	6 410.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	350 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	47 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6.1 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	3.5 ns
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	1.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	0.9 ns
Gewicht pro Stück:	300 mg

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

Der STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor ist ein leistungsstarker PowerGaN-Anreicherungs-Transistor, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 700 V und einem maximalen Einschaltwiderstand von 350 mΩ bietet der STMicroelectronics SGT350R70GTK aufgrund der Galliumnitrid(GaN)-Technologie geringe Leitungsverluste und schnelle Schaltfunktionen. Das in einem thermisch optimierten DPAK-Format untergebrachte Bauteil unterstützt eine hohe Strombelastbarkeit und eine verbesserte Wärmeableitung, geeignet für Designs mit hoher Leistungsdichte. Ein niedriger GATE-Ladung und Ausgangskapazität ermöglichen einen Hochfrequenzbetrieb, ideal für den Einsatz in Blindleistungskompensation (PFC), resonanten Wandlern und anderen fortschrittlichen Stromversorgungstopologien in den Bereichen Industrie, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.