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SGT070R70HTO

Name: STMicroelectronics SGT070R70HTO
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT070R70HTO
Price: 6.32 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT070R70HTO

Herst.- Nr.:

SGT070R70HTO

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

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Datenblatt:

SGT070R70HTO Datenblatt (PDF)

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1800)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	6.32 CHF	6.32 CHF
	4.53 CHF	45.30 CHF
	3.96 CHF	396.00 CHF
	3.84 CHF	1 920.00 CHF
	3.77 CHF	3 770.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1800)
	3.67 CHF	6 606.00 CHF
3 600	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-LL-11
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	8.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	231 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	9 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	697 mg

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

Der STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor ist ein Hochleistungs-Anreicherungstransistor, der für Applikationen mit anspruchsvoller Leistungsumwandlung ausgelegt ist. Basierend auf der GaN-Technologie (Galliumnitrid) bietet der STMicro SGT070R70HTO eine überragende Schaltleistung mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 70Ω und minimaler Gate-Ladung für einen hohen Wirkungsgrad und reduzierte Verluste bei Hochfrequenzbetrieb. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 700 V ist der Transistor ideal für Applikationen wie Stromversorgungen, Motorantriebe und Systeme für erneuerbare Energien. Das Bauteil zeichnet sich durch eine robuste thermische Leistung aus und ist in einem kompakten MAUT-Gehäuse untergebracht, was es für Designs geeignet macht, bei denen Platz und Wärmemanagement entscheidend sind. Das schnelle Schaltvermögen und die niedrige Eingangskapazität tragen zu einer verbesserten Systemeffizienz und Leistungsdichte bei und positionieren den SGT070R70HTO als gute Wahl für die Leistungselektronik der nächsten Generation.