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SCT4045DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DW7TL
Price: 9.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4045DW7TL

Herst.- Nr.:

SCT4045DW7TL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC

Datenblatt:

SCT4045DW7TL Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	9.28 CHF	9.28 CHF
	6.69 CHF	66.90 CHF
	5.20 CHF	520.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	5.04 CHF	5 040.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	31 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	59 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	63 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	93 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konformität:	Done
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	9.3 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFET's
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.1 ns
Artikel # Aliases:	SCT4045DW7

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor können die Schaltfrequenz erhöhen und dadurch die Menge der benötigten Kondensatoren, Reaktoren und anderen Bauelemente verringern. Diese SiC-MOSFETs sind in TO-247N-, TOLL-, TO-263-7L-, TO-263-7LA- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS_(on)] von 13 mΩ bis 65 mΩ (typisch) und einen ununterbrochenen Drain- (I_D) und Quellen-Strom (I_S) (T_C = 25 °C) von 22 A bis 120 A. Diese 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und nutzen dabei die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Technologie.

SCT4045DW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor SCT4045DW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand von 45 mΩ und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Der SCT4045DW7 mit 750 V ermöglicht einen einfachen Antrieb und eine einfache Parallelschaltung. Das Bauteil eignet sich für Solarwechselrichter, Induktionserwärmung und Motorantriebe.