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SCS240AE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS240AE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS240AE2HRC11
Price: 12.2 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCS240AE2HRC11

Herst.- Nr.:

SCS240AE2HRC11

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden AECQ

Datenblatt:

SCS240AE2HRC11 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247N-3
Konfiguration:	Dual
If - Durchlassstrom:	40 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.55 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	130 A
Ir - Sperrstrom:	400 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Pd - Verlustleistung:	270 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V
Artikel # Aliases:	SCS240AE2HR

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Datenblatt

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Specification Sheets

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor liefern eine Durchbruchspannung von 600 V, die weit über der Obergrenze für Silizium-SBDs liegt. Die AEC-Q101-Dioden verwenden SiC, wodurch sie sich ideal für PFC-Schaltungen und Wechselrichter eignen. Darüber hinaus wird das Hochgeschwindigkeitsschalten mit einer extrem kurzen Sperrverzögerungszeit ermöglicht. Dies minimiert sowohl die Sperrverzögerungsladung als auch den Schaltverlust und trägt zur Miniaturisierung des Endprodukts bei. Die AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden bieten einen Sperrspannungsbereich von 650 V bis 1.200 V, einen Dauerdurchlassstrombereich von 1,2 uA bis 260 uA und einen Gesamtverlustleistungsbereich zwischen 48 W und 280 W. Die Bauteile sind in den Gehäusen TO-220, TO-247 und TO-263 mit einer maximalen Temperatur von +175 °C erhältlich.

Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.