Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SCS210KE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS210KE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS210KE2HRC11
Price: 8.95 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCS210KE2HRC11

Herst.- Nr.:

SCS210KE2HRC11

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden AECQ

Datenblatt:

SCS210KE2HRC11 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor SCS210KE2HRC11

Auf Lager: 798

Lagerbestand:: 798 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 21 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 8.95	CHF 8.95
	CHF 5.18	CHF 51.80
	CHF 4.56	CHF 456.00
	CHF 4.55	CHF 2 047.50
	CHF 4.44	CHF 3 996.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247N-3
Konfiguration:	Dual
If - Durchlassstrom:	10 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.6 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	45 A
Ir - Sperrstrom:	100 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Pd - Verlustleistung:	160 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Artikel # Aliases:	SCS210KE2HR

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SCS210KE2HRC11 Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor liefern eine Durchbruchspannung von 600 V, die weit über der Obergrenze für Silizium-SBDs liegt. Die AEC-Q101-Dioden verwenden SiC, wodurch sie sich ideal für PFC-Schaltungen und Wechselrichter eignen. Darüber hinaus wird das Hochgeschwindigkeitsschalten mit einer extrem kurzen Sperrverzögerungszeit ermöglicht. Dies minimiert sowohl die Sperrverzögerungsladung als auch den Schaltverlust und trägt zur Miniaturisierung des Endprodukts bei. Die AEC-Q101 SiC-Schottky-Barriere-Dioden bieten einen Sperrspannungsbereich von 650 V bis 1.200 V, einen Dauerdurchlassstrombereich von 1,2 uA bis 260 uA und einen Gesamtverlustleistungsbereich zwischen 48 W und 280 W. Die Bauteile sind in den Gehäusen TO-220, TO-247 und TO-263 mit einer maximalen Temperatur von +175 °C erhältlich.

Siliziumkarbid-Bauteile (SiC)

Die Siliziumkarbid-Leistungselemente von ROHM Semiconductor liefern eine 10-fache dielektrische Durchbruchfeldstärke, eine 3x größere Bandlücke, und die 3-fache Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zu konventionellen Silizium-Lösungen. Dies ermöglicht geringere Schaltverluste, einen geringeren ON-Widerstand, und eine höhere Betriebstemperatur. Das Ergebnis sind eine geringere Verlustleistung und kleinere Module. Außerdem benötigen Designer weniger Bauteile, was die Komplexität der Entwicklung weiter reduziert.