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S-5719BCDL2-I4T1U

Name: ABLIC S-5719BCDL2-I4T1U
Brand: ABLIC
SKU: 628-S5719BCDL2I4T1U
Price: 0.67 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

628-S5719BCDL2I4T1U

Herst.- Nr.:

S-5719BCDL2-I4T1U

Herst.:

ABLIC

Beschreibung:

Halleffekt-/Magnetsensoren für Plattenmontage MAGNETIC SWITCH, OMNIPOLAR, TCYCLE=133.2MS, ACTIVE LOW, BOP=4.5mT

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

S-5719BCDL2-I4T1U Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 0.673	CHF 0.67
	CHF 0.592	CHF 2.96
	CHF 0.525	CHF 5.25
	CHF 0.524	CHF 26.20
	CHF 0.456	CHF 228.00
	CHF 0.425	CHF 425.00
5 000	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ABLIC
Produktkategorie:	Halleffekt-/Magnetsensoren für Plattenmontage
RoHS:
Betriebsversorgungsstrom:	0.2 uA
Maximaler Ausgangsstrom:	1 mA
Betriebspunkt min./max.:	2.5 mT to 6 mT
Freigabepunkt min./max. (Brp):	2 mT to 5.5 mT
Betriebsversorgungsspannung:	1.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	PCB Mount
Verpackung/Gehäuse:	SNT-4A
Serie:	S-5719
Marke:	ABLIC
Art der Ausgabe:	CMOS
Produkt-Typ:	Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors
Empfindlichkeit:	4.5 mT
Unterkategorie:	Sensors
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.3 V
Montage:	SMD/SMT

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Datenblatt

S-5719BCDL2-I4T1U Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

S-5719 High-Accuracy Hall Effect Switch ICs

ABLIC S-5719 High-Accuracy Hall Effect Switch ICs consume low current with low voltage operation, making them suitable for battery-operated portable devices. When the IC detects the intensity level of magnetic flux density, the output voltage changes. The ABLIC S-5719 features a magnetic simulation service that enables the detection of open/close in various devices and helps reduce costs in prototype production and development.