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RS6E122BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6E122BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6E122BGTB1
Price: 2.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RS6E122BGTB1

Herst.- Nr.:

RS6E122BGTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

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	1.57 CHF	15.70 CHF
	1.08 CHF	108.00 CHF
	0.872 CHF	436.00 CHF
	0.833 CHF	833.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.774 CHF	1 935.00 CHF

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	155 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.16 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	89 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	55 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	31 ns