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RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 1.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ3G120BJFRATCB

Herst.- Nr.:

RQ3G120BJFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

RQ3G120BJFRATCB Datenblatt

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	1.34 CHF	1.34 CHF
	0.848 CHF	8.48 CHF
	0.564 CHF	56.40 CHF
	0.443 CHF	221.50 CHF
	0.405 CHF	405.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.352 CHF	1 056.00 CHF
	0.343 CHF	2 058.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	48 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	15.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	9.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.7 ns

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RQ3G120BJFRATCB Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs in Fahrzeugqualität. Diese MOSFETs bieten einen Drain-Source Spannungsbereich von -40 V bis 100 V, 8 Anschlüsse, bis 69 W Verlustleistung und ±12A bis ±27 A Dauersenkenstrom. Die Leistungs-MOSFETs RQ3xFRATCB sind in n-Kanal und p-Kanal erhältlich. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem kleinen 3,3 mm x 3,3 mm HSMT8AG-Gehäuse untergebracht. Die RQ3xFRATCB Leistungs-MOSFETs sind ideal für fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS), Infotainment, Beleuchtung und Karosserie.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.