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RJ1L10BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1L10BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1L10BBGTL1
Price: 5.49 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RJ1L10BBGTL1

Herst.- Nr.:

RJ1L10BBGTL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RJ1L10BBGTL1 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263AB-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	240 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	160 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	192 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	140 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	64 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	31 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	230 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	49 ns

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Datenblatt

RJ1L10BBGTL1 Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs RJ1x10BBG von ROHM Semiconductor sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistungsgehäuse. Die Leistungs-MOSFETs RJ1G10BBG und RJ1L10BBG haben ein Drain-Source- Spannung von 40 V und 60 V, einen Dauersenkenstrom von ±280 A und ±240 A und ein Verlustleistung von 192 W. Die Leistungs-MOSFETs RJ1x10BBG sind RoHs-konform. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über eine bleifreie Beschichtung, sind halogenfrei und zu 100 % Rg- und UIS-getestet. Die Leistungs-MOSFETs RJ1x10BBG arbeiten im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Applikationen sind Schalter, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.