RGSX5TS65DHRC11

ROHM Semiconductor
755-RGSX5TS65DHRC11
RGSX5TS65DHRC11

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT

Lebenszyklus:
NRND:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
650 V
2.15 V
30 V
114 A
404 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marke: ROHM Semiconductor
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 450
Unterkategorie: IGBTs
Artikel # Aliases: RGSX5TS65DHR
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ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not
intended for volume automotive production without ROHM
Semiconductors prior approval.

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales
Representative for further assistance.

5-0617-50

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGSX5TS65 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGSX5TS65 650-V-75-A-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor  zeichnen sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus. Der RGSX5TS65 verfügt über eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 8μs. Er ist AEC-Q101-qualifiziert und verfügt über eine bleifreie bleiplattierung.