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RGPR20NL43HRTL

Name: ROHM Semiconductor RGPR20NL43HRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGPR20NL43HRTL
Price: 3.1 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RGPR20NL43HRTL

Herst.- Nr.:

RGPR20NL43HRTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

IGBTs Transistor, IGBT, 430V +/- 30V, 20A

Datenblatt:

RGPR20NL43HRTL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.14	CHF 1 140.00
	CHF 1.07	CHF 2 140.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-3
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	460 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	10 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	20 A
Pd - Verlustleistung:	107 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Kriechstrom Gate-Emitter:	1.2 mA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Artikel # Aliases:	RGPR20NL43HR

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Datenblatt

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Specification Sheets

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive Ignition IGBTs

ROHM Semiconductor Automotive Ignition IGBTs with low collector-emitter saturation voltage are suitable for the ignition coil and solenoid driver circuits. The IGBT transistors feature high self-clamped inductive switching energy, built-in gate-emitter protection diode, and built-in gate-emitter resistance. These IGBT transistors operate at -40ºC to 175ºC and -55ºC to 175ºC storage temperature. The devices are housed in 3-pin TO-252 and TO263S packages and are a highly reliable product for automotive.