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RD3L08DBKHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3L08DBKHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3L08DBKHRBTL
Price: 1.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3L08DBKHRBTL

Herst.- Nr.:

RD3L08DBKHRBTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

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	0.809 CHF	80.90 CHF
	0.641 CHF	320.50 CHF
	0.605 CHF	605.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.581 CHF	1 452.50 CHF

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	76 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	TH
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns