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QH8KE5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8KE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8KE5TCR
Price: 0.84 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-QH8KE5TCR

Herst.- Nr.:

QH8KE5TCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive.

Datenblatt:

QH8KE5TCR Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.525	CHF 5.25
	CHF 0.344	CHF 34.40
	CHF 0.266	CHF 133.00
	CHF 0.24	CHF 240.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.234	CHF 702.00
	CHF 0.191	CHF 1 146.00
	CHF 0.178	CHF 1 602.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	202 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	2.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns

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QH8KE5TCR Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QH8K Dual Nch+Nch Kleinsignal-MOSFETs

Die Dual-Nch+Nch-Kleinsignal-MOSFETs QH8K von ROHM Semiconductor unterstützen eine Spannungsfestigkeit von 40 V, 60 V oder 100 V. Diese Baureihe ist für Geräte mit 24 V Eingangsspannung, z. B. Anlagen zur Fabrikautomatisierung und auf Basisstationen (Kühlgebläse) montierte Motoren, ausgelegt. Die QH8K-Bauteile bestehen aus einem Nch-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand, der im Vergleich zu herkömmlichen ROHM-Produkten um 58 % reduziert wird. Dies führt zu einem geringen Stromverbrauch der Komponenten. Diese MOSFETs sind in einem kleinen für die Oberflächenmontage geeigneten TSMT8-Gehäuse mit acht Anschlüssen und einer bleifreien Beschichtung verfügbar. Die Dual-Nch+Nch-Kleinsignal-MOSFETs QH8K von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Schalt- und Motorantriebsapplikationen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.