PSMN7R2-100YSFX

Nexperia
771-PSMN7R2-100YSFX
PSMN7R2-100YSFX

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SOT669 100V 111A N-CH MOSFET

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 215

Lagerbestand:
215 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
1.90 CHF 1.90 CHF
1.22 CHF 12.20 CHF
0.835 CHF 83.50 CHF
0.665 CHF 332.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
0.584 CHF 876.00 CHF
0.544 CHF 1 632.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO8-4
N-Channel
1 Channel
100 V
111 A
6.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 18 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 14 ns
Artikel # Aliases: 934662278115
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NextPower 80-/100-V-MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs werden für Schaltapplikationen mit hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit empfohlen. Die NextPower MOSFETs verfügen über einen niedrigeren 50 % RDS(on) und eine starke Avalanche-Energieeinstufung. Die Bauteile eignen sich hervorragend für Netzteile, Telekommunikation, Industriedesigns, USB-PD-Typ-C-Ladegeräte und -Adapter sowie 48 V DC/DC-Adapter. Die Bauteile verfügen über geringe Body-Dioden-Verluste mit Qrr bis hinunter zu 50 Nanocoulomb (nC). Dies führt zu einem niedrigeren Sperrverzögerungsstrom (IRR), niedrigeren Spannungsspitzen (Vpeak) und reduziertem Überschwingen für eine weitere optimierte Totzeit.