PSMN1R9-40YSBX

Nexperia
771-PSMN1R9-40YSBX
PSMN1R9-40YSBX

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A

ECAD Model:
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-SO8-4
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Marke: Nexperia
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 13 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 11 ns
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: N-Channel TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
Artikel # Aliases: 934665891115
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Ausgewählte Attribute: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

EMV-optimierte NextPowerS3 MOSFETs

Die EMV-optimierten NextPowerS3 MOSFETs von Nexperia sind in einem Raumfahrt  LFPAK56-Gehäuse mit hohem Wirkungsgrad untergebracht. Diese MOSFETs sind Avalanche-fähig. Die NextPowerS3 MOSFETs unterstützen eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C. Diese MOSFETs sind EU-RoHS-konform. Die NextPowerS3 MOSFETs verfügen über eine Spitzenlöttemperatur von +260°C und einen Lagertemperaturbereich von -55°C bis +175°C. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und bürstenlose DC-Motorsteuerung.