Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

PSMN1R7-40YLBX

Name: Nexperia PSMN1R7-40YLBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R7-40YLBX
Price: 1.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN1R7-40YLBX

Herst.- Nr.:

PSMN1R7-40YLBX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A

Datenblatt:

PSMN1R7-40YLBX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Nexperia PSMN1R7-40YLBX

Auf Lager: 1 346

Lagerbestand:: 1 346 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.65	CHF 1.65
	CHF 1.06	CHF 10.60
	CHF 1.02	CHF 51.00
	CHF 0.709	CHF 70.90
	CHF 0.564	CHF 282.00
	CHF 0.493	CHF 739.50
	CHF 0.457	CHF 1 371.00
	CHF 0.45	CHF 2 025.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-SO8-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.05 V
Qg - Gate-Ladung:	79 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	194 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	31 ns
Artikel # Aliases:	934665890115

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMV-optimierte NextPowerS3 MOSFETs

Die EMV-optimierten NextPowerS3 MOSFETs von Nexperia sind in einem Raumfahrt LFPAK56-Gehäuse mit hohem Wirkungsgrad untergebracht. Diese MOSFETs sind Avalanche-fähig. Die NextPowerS3 MOSFETs unterstützen eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C. Diese MOSFETs sind EU-RoHS-konform. Die NextPowerS3 MOSFETs verfügen über eine Spitzenlöttemperatur von +260°C und einen Lagertemperaturbereich von -55°C bis +175°C. Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler und bürstenlose DC-Motorsteuerung.