PMH550UPEH

Nexperia
771-PMH550UPEH
PMH550UPEH

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SOT8001 P-CH 20V .8A

ECAD Model:
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-0606-3
P-Channel
1 Channel
20 V
800 mA
640 mOhms
- 8 V, 8 V
950 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
660 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1.1 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 2 ns
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 2 ns
Artikel # Aliases: 935690959125
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

DFN0606 Trench-MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench-MOSFETs sind zur Verwendung mit der Trench-MOSFET-Technologie ausgelegt, um eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr schnelle Schaltung zu bieten. Diese MOSFETs von Nexperia verfügen über einen Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) und sind in einem unbedrahteten, extrem kleinen DFN0606-3-Kunststoffgehäuse (SOT8001) zur Oberflächenmontage (SMD) verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Mobiltelefone, Wearables und tragbare Geräte, Zubehör für Mobiltelefone, Kopfhörer, Ohrhörer und Hörgeräte.