PMDXB600UNELZ

Nexperia
771-PMDXB600UNELZ
PMDXB600UNELZ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SOT1216 2NCH 20V .6A

ECAD Model:
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
N-Channel
2 Channel
20 V
600 mA
470 mOhms, 470 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
700 pC
- 55 C
+ 150 C
380 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 51 ns, 51 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1 S, 1 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 9.2 ns, 9.2 ns
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 19 ns, 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5.6 ns, 5.6 ns
Artikel # Aliases: 934070432147
Gewicht pro Stück: 1,217 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

PMDXBx 20V Trench-MOSFETs

NXP PMDXBx 20V Trench-MOSFETs bestehen aus Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistoren (FET) in einem kabellosen, ultrakleinen SOT1216 Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Die Bauteile nutzen Trench-MOSFET-Technologie, haben ein freiliegendes Drain-Pad für hervorragende Wärmeleitung, bieten >1kV HBM ESD-Schutz und 470mΩ Drain-Source-On-Widerstand. Die PMDXBx MOSFETs sind in Dual-N- und P-Kanal-Versionen erhältlich. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.
Weitere Informationen

PMDXB600UNEL 20-V-Dual-n-Kanal-Trench-MOSFET

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