PMDXB1200UPEZ

Nexperia
771-PMDXB1200UPEZ
PMDXB1200UPEZ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Auf Bestellung:
15 140
erwartet ab 08.02.2027
Lieferzeit ab Hersteller:
8
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.389 CHF 0.39
CHF 0.238 CHF 2.38
CHF 0.152 CHF 15.20
CHF 0.113 CHF 56.50
CHF 0.09 CHF 90.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
CHF 0.078 CHF 390.00
CHF 0.073 CHF 730.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
P-Channel
2 Channel
30 V
410 mA
1.4 Ohms
- 8 V, 8 V
950 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
410 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Produkt-Typ: MOSFETs
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: 934069327147
Gewicht pro Stück: 1.229 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

PMDXBx 20V Trench-MOSFETs

NXP PMDXBx 20V Trench-MOSFETs bestehen aus Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistoren (FET) in einem kabellosen, ultrakleinen SOT1216 Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Die Bauteile nutzen Trench-MOSFET-Technologie, haben ein freiliegendes Drain-Pad für hervorragende Wärmeleitung, bieten >1kV HBM ESD-Schutz und 470mΩ Drain-Source-On-Widerstand. Die PMDXBx MOSFETs sind in Dual-N- und P-Kanal-Versionen erhältlich. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.
Weitere Informationen