PJQ5590-AU_R2_002A1 MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Panjit MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 59 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit PJQ5590-AU-R2-002A1
Panjit MOSFETs
Datenblatt
N/A