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PJQ5526_R2_00201

Name: Panjit PJQ5526_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ5526_R2_00201
Price: 0.88 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-PJQ5526_R2_00201

Herst.- Nr.:

PJQ5526_R2_00201

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

PJQ5526_R2_00201 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	0.556 CHF	5.56 CHF
	0.364 CHF	36.40 CHF
	0.28 CHF	140.00 CHF
	0.254 CHF	254.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.219 CHF	657.00 CHF
	0.203 CHF	1 218.00 CHF
	0.179 CHF	1 611.00 CHF
	0.176 CHF	4 224.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5060X-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	68 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	15 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	35.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	23 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns
Artikel # Aliases:	PJQ5526
Gewicht pro Stück:	80 mg

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Datenblatt

PJQ5526_R2_00201 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS_(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.